檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "洪儒生".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="蔡大翔"
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本論文藉由四異丙基鈦前驅物進行化學氣相沉積,研究二氧化鈦奈米桿成長於二氧化錫摻雜氟(FTO)的導電玻璃及SA(100)基板上。藉由控制不同的化學氣相沉積成長條件,可得到金紅石結構、銳鈦礦結構與兩結構…
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本論文研究氧化銥一維奈米管作為電化學陽極觸媒的潛在應用機會,氧化銥一維奈米管陣列由化學氣相沉積法垂直成長於氧化鋁單晶sapphire (100)基板,奈米管平均高度1150 nm,直徑80-100 …
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本論文藉由反應性濺鍍的方法,研究在濺鍍矽網印於SA(100)及SA(012)基板上,選擇性區域成長二氧化釕奈米桿。二氧化釕奈米桿垂直成長於SA(100)基板上,傾斜35o成長於SA(012)基板,利…
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我們使用密度泛函數(DFT)法研究SiH4, GeH4, Si2H6, and Ge2H6分解吸附與氫遷移和脫附於SiGe(100)-2x1表面。由於鍺加入於Si(100)-2x1表面內影響了dim…